Innosiliconの多様なIPポートフォリオは、GFの12LP FinFETプラットフォーム上の高性能アプリケーション向けに認定されています。

Innosiliconの多様なIPポートフォリオは、GFの12LP FinFETプラットフォーム上の高性能アプリケーション向けに認定されています。

中国、武漢、2019 年 10 月 24 日 —世界有数のハイエンド混合回路チップ/IP 設計会社である INNOSILICON は本日、多様な IP ポートフォリオが GF® (GF®) 12nm Leading Performance (12LP) プラットフォームの認定を受けたことを発表しました。これにより、設計者は人工知能、仮想現実、ハイエンド スマートフォン、ネットワーク インフラストラクチャなど、さまざまな計算集約型アプリケーション向けに差別化された製品を提供できるようになります。 Innosilicon の GDDR6 は設計が完了し、GlobalFoundries 12LP に基づいてテープアウトされました。


ビッグデータとコグニティブコンピューティングの時代において、GF の 12LP プラットフォームは、コンピューティング、コネクティビティ、ストレージ (CCS)、人工知能/機械学習、ハイエンドの消費者向けおよび自動車向けソリューションのニーズを満たす超高性能とデータ処理機能を顧客に提供します。このプラットフォームは、前世代の FinFET よりも 10% 高いロジック密度と 15% 以上高いパフォーマンスを実現し、自動車用電子機器や RF/アナログ アプリケーション向けに特別に設計された新しい市場指向のソリューションを備えています。 GF による Innosilicon IP ポートフォリオの認定により、各 IP がシリコン実証済みであることが保証され、設計者は標準インターフェイスを SoC に統合する際のリスクを軽減できます。この認定により、お客様は好みの IP ソリューションを選択し、設計の信頼性を確保し、市場投入までの時間を短縮できます。

「モバイルやハイエンドのコンピューティング アプリケーションの帯域幅と電力要件を満たす、差別化された多用途の FinFET ソリューションに対する需要が高まっています」と、GF のエコシステム パートナー担当副社長のマーク アイルランド氏は述べています。 「イノシリコンとGFは、強力でコスト効率の高いソリューションを提供する高度なプロセスを使用したIPソリューションの開発に協力しており、両社の顧客が高成長市場に差別化された製品をさらに提供できるよう支援しています。」

 

イノシリコンの CEO であるゴードン・アオ氏は次のように述べています。「当社は GF と長年にわたるパートナーシップを結んでおり、世界中で GF の高度な FinFET プラットフォーム上で幅広い高速、高性能 IP ソリューションを提供しています。GF の 12LP に基づくイノシリコンの高速ミックス信号 IP のフル スイートがシリコン認証に合格しただけでなく、多くの重要な顧客製品に重要な価値を提供しているという事実に勇気づけられています。」


GF の 12LP プロセスに基づく Innosilicon の IP 製品ポートフォリオには、次のタイプが含まれます。

GFの12LPプロセスに基づくInnosiliconのIPポートフォリオ

IP タイプクラス

説明する

物理|DDR

DDR2/3/4、LPDDR2/3/4 コンボ PHY

物理|EDP

EDP​​(組み込みディスプレイポート)v1.4a PHY

PHY|HDMI

HDMI 2.0 トランスミッター PHY

PHY|MIPI

MIPI D-PHY v1.2/LVDS 受信 PHY

PHY|MIPI

MIPI D-PHY v1.2/LVDS 送信 PHY

PHY|MIPI

MIPI M-PHY v1.0 PHY

PHY|USB2

USB2.0 PHY

PHY|セルデス

6G マルチプロトコル PHY (PCIe2/USB3/SATA3)

PHY|VバイワンHS

V-By-One HS v1.4 トランスミッター PHY


イノシリコンについて


Innosilicon は、高性能 PHY および HD ミックス信号 IP 製品に重点を置き、トップクラスの市場シェアを誇る、世界をリードするハイエンド混合回路チップ/IP 設計会社です。顧客には、Huawei、ZTE、Rockchip、Microsoft、AMD、Amazon、Cypress、Microchip などの世界有数の企業が含まれます。当社の IP は、GF、Samsung、TSMC、SMIC、UMC、Fujitsu のプロセスに高度に最適化されており、0.13/0.11um、90nm、65/55nm、40nm、28nm、16nm、14/12nm から 7nm までをカバーしています。詳細については、www.innosilicon.com をご覧ください。



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